Verstärkungsmodus-Transistoren aus einem Nitrid der Gruppe III mit dielektrischer Struktur mit einem einzigen Gate

EP2360728 Art B1 29. April 2020

Anmelder: Infineon Technologies Americas Corp., International Rectifier Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2360728
Aktenzeichen
EP11000917
Anmeldetag
4. Februar 2011
Veröffentlichung
29. April 2020
Erteilung
29. April 2020
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/778H01L29/423H01L29/10
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Infineon Technologies Americas Corp.
International Rectifier Corporation
Land
🇺🇸 USA

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Zeitler, Stephan Heidenheim, Deutschland
13
Patente gesamt
10
Fachgebiete
4
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Halbleiter & Elektrische Bauelemente Nachrichtentechnik & Telekommunikation Optik & Fototechnik Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Metallurgie & Oberflächentechnik Energie- & Antriebstechnik (Kraftmaschinen)
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