Oberflächenbehandlung zur Molekularen Verbindung
EP2362860
Art A1
7. September 2011
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2362860
- Aktenzeichen
- EP09740335
- Anmeldetag
- 27. Oktober 2009
- Veröffentlichung
- 7. September 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C03C15/00C03C17/22C03C27/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Desormiere, Pierre-Louis
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