Method and device for modelling an integrated circuit comprising at least one insulated-gate field-effect transistor, method of manufacturing such an integrated circuit, and corresponding integrated circuit
EP2363818
Art A3
25. September 2013
Anmelder: STMicroelectronics S.A. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2363818
- Aktenzeichen
- EP10184205
- Anmeldetag
- 9. Januar 2003
- Veröffentlichung
- 25. September 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G06F17/50
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- STMicroelectronics S.A.
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
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Vertreten von
Dossmann, Gérard
München, Deutschland
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