Verfahren zum Verbessern der Qualität von Strukturen, die Halbleitermaterialien Umfassen

EP2364504 Art B1 28. August 2019

Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2364504
Aktenzeichen
EP09753298
Anmeldetag
13. November 2009
Veröffentlichung
28. August 2019
Erteilung
28. August 2019
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/20
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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