In-situ-Dotierimplantation und Wachstum eines III-Nitrid-Halbleiterkörpers
EP2369040
Art A1
28. September 2011
Anmelder: Infineon Technologies Americas Corp., International Rectifier Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2369040
- Aktenzeichen
- EP11001199
- Anmeldetag
- 15. Februar 2011
- Veröffentlichung
- 28. September 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B23/02C30B25/02H01L21/265H01L21/329H01L21/336H01L29/20C30B29/40H01L21/203H01L21/205H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies Americas Corp.
International Rectifier Corporation - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
International Rectifier
International Rectifier war ein US-amerikanischer Hersteller von Leistungshalbleitern, der 2015 von Infineon Technologies übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Energie- und Schaltungstechnik, ergänzt um Steuerungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2015.
427 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Zeitler, Stephan
Heidenheim, Deutschland
13
Patente gesamt
10
Fachgebiete
4
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
JENSEN & SON
JENSEN & SON · London