Pseudo-Umkehrschaltung auf Halbleiter-auf-Isolator
EP2372716
Art A1
5. Oktober 2011
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2372716
- Aktenzeichen
- EP10175849
- Anmeldetag
- 8. September 2010
- Veröffentlichung
- 5. Oktober 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C8/08G11C11/408H01L27/12H01L21/84H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Vertreten von
Collin, Jérôme
Paris, Frankreich
478
Patente gesamt
32
Fachgebiete
21
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Regimbeau
Regimbeau · Rennes