Gaszusammensetzungen zum Reinigen des Reaktorinneren sowie zum Ätzen von Filmen aus siliciumhaltigen Verbindungen
Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED, Renesas Electronics Corporation, Panasonic Corporation, Daikin Industries, Ltd., Canon Anelva Corporation, Sanyo Electric Co., Ltd., Hitachi Kokusai Electric Inc., Sony Corporation, Kanto Denka Kogyo Co., Ltd., National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, ANELVA CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2372753
- Aktenzeichen
- EP11172271
- Anmeldetag
- 21. September 2001
- Veröffentlichung
- 16. Januar 2013
- Erteilung
- 16. Januar 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/205C23C16/44C09K13/08C23F4/00H01L21/3213
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- TOKYO ELECTRON LIMITED
Renesas Electronics Corporation
Panasonic Corporation
Daikin Industries, Ltd.
Canon Anelva Corporation
Sanyo Electric Co., Ltd.
Hitachi Kokusai Electric Inc.
Sony Corporation
Kanto Denka Kogyo Co., Ltd.
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
ANELVA CORPORATION - Land
- 🇯🇵 Japan
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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