Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür

EP2372756 Art A1 5. Oktober 2011

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2372756
Aktenzeichen: EP11005367
Anmeldetag: 3. März 2008
Veröffentlichung: 5. Oktober 2011
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/77H01L27/105H01L27/115H01L27/13H01L23/14H01L23/498H01Q1/22H01L21/20H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von