Verfahren zur Herstellung eines Tunneltransistors und Ic damit
EP2374152
Art A1
12. Oktober 2011
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2374152
- Aktenzeichen
- EP09744190
- Anmeldetag
- 12. Oktober 2009
- Veröffentlichung
- 12. Oktober 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/66H01L21/334H01L21/28H01L29/423H01L29/06H01L21/265H01L29/165
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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