Verfahren zum Herstellen und Zusammenbauen von Substraten
EP2375443
Art B1
29. Juli 2020
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2375443
- Aktenzeichen
- EP11173320
- Anmeldetag
- 14. Oktober 2004
- Veröffentlichung
- 29. Juli 2020
- Erteilung
- 29. Juli 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762H01L21/304
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Vertreten von
Ilgart, Jean-Christophe
Paris, Frankreich
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