Verspannungsgestaltete Verbundhalbleitersubstrate und Verfahren zu Ihrer Herstellung
EP2377153
Art A1
19. Oktober 2011
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2377153
- Aktenzeichen
- EP08875786
- Anmeldetag
- 19. Dezember 2008
- Veröffentlichung
- 19. Oktober 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762H01L33/00H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Vertreten von
Collin, Jérôme
Paris, Frankreich
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Regimbeau
Regimbeau · Rennes