Substrat zur Züchtung eines Iii-Nitrid-Halbleiters, Epitaktisches Substrat für Iii-Nitrid-Halbleiter, Iii-Nitrid-Halbleiterelement, Freitragendes Substrat für Iii-Nitrid-Halbleiter und Herstellungsverfahren dafür
EP2378545
Art A1
19. Oktober 2011
Anmelder: Dowa Holdings Co., Ltd., DOWA Electronics Materials Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2378545
- Aktenzeichen
- EP09835125
- Anmeldetag
- 25. Dezember 2009
- Veröffentlichung
- 19. Oktober 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20C30B29/38H01L21/205C30B25/18C30B29/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Dowa Holdings Co., Ltd.
DOWA Electronics Materials Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
DOWA Electronics Materials
DOWA Electronics Materials ist ein japanisches Unternehmen der DOWA-Gruppe für elektronische Werkstoffe und Metallpulver. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Fertigungstechnik, ergänzt durch anorganische Chemie und Metallurgie. Anmeldungen reichen von 2001 bis in die Gegenwart.
471 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Perrey, Ralf
München, Deutschland
84
Patente gesamt
25
Fachgebiete
6
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Müller-Boré & Partner Patentanwälte PartG mbB
Müller-Boré & Partner Patentanwälte PartG mbB · München