Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats

EP2378549 Art A1 19. Oktober 2011

Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2378549
Aktenzeichen: EP11001643
Anmeldetag: 6. April 2010
Veröffentlichung: 19. Oktober 2011
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L21/18H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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