Resistmerkmal und Verfahren zur Strukturierung mit Rasterabstandverdopplung einer Entfernbaren Abstandsschicht für Säulenstrukturen
EP2380189
Art B8
9. Juli 2014
Anmelder: SanDisk 3D LLC, Sandisk 3d, Llc 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2380189
- Aktenzeichen
- EP09799471
- Anmeldetag
- 29. Dezember 2009
- Veröffentlichung
- 9. Juli 2014
- Erteilung
- 9. Juli 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/033
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SanDisk 3D LLC
Sandisk 3d, Llc - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
SanDisk 3D
SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.
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Tothill, John Paul
London, Großbritannien
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