Elektrische Kontakte für Cmos-Bauelemente und Iii-V-Bauelemente auf einem Siliziumsubstrat

EP2380195 Art B1 12. September 2018

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2380195
Aktenzeichen: EP10700798
Anmeldetag: 20. Januar 2010
Veröffentlichung: 12. September 2018
Erteilung: 12. September 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/8258H01L23/485H01L23/532H01L27/06// H01L27/092

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

3.397 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von