Halbleiterbauelement mit einem Feldeffekttransistor in einer Silizium-auf-Isolator-Struktur

EP2381470 Art B1 22. August 2012

Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2381470
Aktenzeichen: EP10290217
Anmeldetag: 22. April 2010
Veröffentlichung: 22. August 2012
Erteilung: 22. August 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/07H01L21/8234H01L21/84H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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