Herstellungsmethode für ein Halbleiterbauelement

EP2381476 Art B1 23. August 2017

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2381476
Aktenzeichen: EP11005952
Anmeldetag: 9. November 2005
Veröffentlichung: 23. August 2017
Erteilung: 23. August 2017
Rechtsraum: EP
IPC: G11C13/00G11C17/14G11C17/16G11C17/18H01L21/822H01L23/66H01L27/06H01L27/12H01L27/24H01L27/28H01L45/00H01L51/00B82Y10/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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