Passivierungsschicht für eine Schaltungsanordnung und ein Verfahren zu deren Herstellung
EP2385546
Art B1
16. Juli 2014
Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2385546
- Aktenzeichen
- EP11176150
- Anmeldetag
- 24. Januar 2008
- Veröffentlichung
- 16. Juli 2014
- Erteilung
- 16. Juli 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L23/482H01L23/31
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Raytheon Company
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Raytheon Company
US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.
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Lawrence, John
Birmingham, Großbritannien
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