Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren
EP2385550
Art A1
9. November 2011
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2385550
- Aktenzeichen
- EP11174039
- Anmeldetag
- 24. Oktober 2008
- Veröffentlichung
- 9. November 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/495
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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Vertreten von
Calderbank, Thomas Roger
London, Großbritannien
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