Speicherzelle mit Dielektrischem Speicherelement
EP2386115
Art B1
25. Februar 2015
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2386115
- Aktenzeichen
- EP10729669
- Anmeldetag
- 12. Januar 2010
- Veröffentlichung
- 25. Februar 2015
- Erteilung
- 25. Februar 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8239H01L45/00H01L27/24
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Vertreten von
Maury, Richard Philip
St. Albans, Großbritannien
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