System und Verfahren zur Bilderfassung unter Verwendung eines Mosfet
EP2387799
Art A1
23. November 2011
Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2387799
- Aktenzeichen
- EP10700191
- Anmeldetag
- 7. Januar 2010
- Veröffentlichung
- 23. November 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/146
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Raytheon Company
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Raytheon Company
US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.
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Vertreten von
Lawrence, John
Birmingham, Großbritannien
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