Herstellungverfahren von Halbleiterchip-Elementen mit Aussparungen in Längsrichtung zum Einsetzen von Drähten
EP2388806
Art B1
19. Dezember 2018
Anmelder: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES, COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2388806
- Aktenzeichen
- EP11354017
- Anmeldetag
- 5. Mai 2011
- Veröffentlichung
- 19. Dezember 2018
- Erteilung
- 19. Dezember 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/56H01L23/31H01L23/48H01L33/48H01L33/62
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES - Land
- 🇫🇷 Frankreich
Fachgebiete
Kanzlei
Cabinet Hecké
Grenoble, Frankreich
1997 in Grenoble gegründet, übernahm 2002 die Praxis von Gérard Hecke. Begleitet Mandanten der Region bei Patenten, Marken, Designs, Urheberrechten, Verträgen, Streitigkeiten und Technologietransfers in Frankreich und im Ausland.
570
Patente gesamt
1
Patentanwälte
1
Standorte
Weitere Vertreter
-
Gris, Sébastien
NoneGrenoble