Licht emittierender Diodenchip mit Wellenlängenumwandlungsschicht und sein Herstellungsverfahren, sowie Verpackung mit dem Licht emittierenden Diodenchip und Verfahren zu ihrer Herstellung

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP2388838

Aktenzeichen

EP11159040

Anmeldetag

21. März 2011

Veröffentlichung

16. September 2020

Erteilung

16. September 2020

Rechtsraum

EP

IPC

H01L33/50H01L33/38

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma

Seoul Semiconductor Co., Ltd.

Land

🇰🇷 Südkorea

Fachgebiete