Hoch-K-Zweifachoxide mit Sige-Kanal
EP2389684
Art A2
30. November 2011
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2389684
- Aktenzeichen
- EP10736186
- Anmeldetag
- 13. Januar 2010
- Veröffentlichung
- 30. November 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L21/31
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.392 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Wray, Antony John
Basingstoke, Großbritannien
604
Patente gesamt
24
Fachgebiete
10
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse