Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Nitridhalbleiterkristalls

EP2390386 Art B1 12. August 2015

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2390386
Aktenzeichen: EP10731243
Anmeldetag: 13. Januar 2010
Veröffentlichung: 12. August 2015
Erteilung: 12. August 2015
Rechtsraum: EP
IPC: C30B29/38C30B23/00C30B29/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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