Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung durch Verbinden von Silber oder Silberoxid auf einer Oberfläche eines Halbleiterbauelements mit Silber oder Silberoxid auf einer Oberfläche eines Stanzgitters oder eines Verdrahtungssubstrats, Wobei Zumindest eine der Genannten Oberflächen mit Silberoxid Versehen Ist
EP2390903
Art B1
2. November 2016
Anmelder: Nichia Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2390903
- Aktenzeichen
- EP10733350
- Anmeldetag
- 20. Januar 2010
- Veröffentlichung
- 2. November 2016
- Erteilung
- 2. November 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/58H01L21/60H01L33/40H01L33/48H01L33/62H01S5/022
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Nichia Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Nichia
Japanischer Hersteller von LEDs und Halbleiterbauelementen, bekannt als Erfinder der ersten hocheffizienten blauen Leuchtdiode.
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