Nitrid-Halbleiter-Leuchtelement, Epitaxialsubstrat und Verfahren zum Herstellen eines Nitrid-Halbleiter-Leuchtelements

EP2390972 Art A1 30. November 2011

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2390972
Aktenzeichen: EP09838886
Anmeldetag: 28. Dezember 2009
Veröffentlichung: 30. November 2011
Rechtsraum: EP
IPC: H01S5/343H01L21/205H01L21/02B82Y20/00H01L33/00H01L33/18H01L33/06// H01S5/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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