Hochintegrierter Dünnschichtkondensator mit einer amorphen Kathode

EP2393090 Art A1 7. Dezember 2011

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2393090
Aktenzeichen
EP10164669
Anmeldetag
1. Juni 2010
Veröffentlichung
7. Dezember 2011
Rechtsraum
EP
IPC
H01G9/042H01G9/28H01M6/18
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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