Gan-Substrat und Herstellungsverfahren Dafür, Verfahren zur Herstellung eines mit einer Gan-Schicht Verbundenen Substrats und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung

EP2395134 Art A1 14. Dezember 2011

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2395134
Aktenzeichen: EP09839702
Anmeldetag: 13. November 2009
Veröffentlichung: 14. Dezember 2011
Rechtsraum: EP
IPC: C30B29/38C30B31/20H01L21/205H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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