Hocheffiziente InGaAsN-Solarzelle und deren Herstellungsverfahren

EP2398062 Art A3 16. Oktober 2013

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2398062
Aktenzeichen: EP11004787
Anmeldetag: 10. Juni 2011
Veröffentlichung: 16. Oktober 2013
Rechtsraum: EP
IPC: H01L31/0304H01L31/078H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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