Verfahren zum Bilden eines dotierten Bereichs in einer Halbleiterschicht eines Substrats und Verwendung des Verfahrens
EP2398071
Art B1
16. Januar 2013
Anmelder: IMEC 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2398071
- Aktenzeichen
- EP11166861
- Anmeldetag
- 20. Mai 2011
- Veröffentlichung
- 16. Januar 2013
- Erteilung
- 16. Januar 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/068H01L31/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- IMEC
- Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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Fachgebiete
Vertreten von
Duyver, Jurgen Martha Herman
Diegem, Belgien
72
Patente gesamt
21
Fachgebiete
5
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Schwerpunkte