Verfahren und Vorrichtung zum Züchten von Submikron-Nitridstrukturen der Gruppe III mit Hydrid-Gasphasenepitaxie-Techniken

EP2400046 Art A1 28. Dezember 2011

Anmelder: Technologies and Devices International Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2400046
Aktenzeichen
EP11181998
Anmeldetag
28. März 2002
Veröffentlichung
28. Dezember 2011
Rechtsraum
EP
IPC
C30B25/14C30B25/16C30B29/40H01L21/205
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Technologies and Devices International Inc.
Land
🇺🇸 USA

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik
Vertreten von
Bongards, Jochen Essen, Deutschland
26
Patente gesamt
15
Fachgebiete
3
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Hochbau & Gebäudetechnik Medizintechnik & Gesundheit Elektrische Energietechnik Metallurgie & Oberflächentechnik Energie- & Antriebstechnik (Kraftmaschinen) Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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