Layoutentwurf für GaN-basierten Hochleistungs-FET
EP2400553
Art A3
28. August 2013
Anmelder: Power Integrations, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2400553
- Aktenzeichen
- EP11170153
- Anmeldetag
- 16. Juni 2011
- Veröffentlichung
- 28. August 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L29/423// H01L29/417H01L29/20H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Power Integrations, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Power Integrations
Power Integrations ist ein US-amerikanisches Unternehmen für Halbleiterlösungen in der Leistungselektronik. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf elektrische Energietechnik sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik und Schaltungstechnik. Anmeldungen laufen durchgehend seit dem Jahr 2000.
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Peterreins, Frank
München, Deutschland
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