Iii-Nitridhalbleiterlaser und Verfahren zum Herstellen eines Iii-Nitridhalbleiterlasers
EP2400604
Art A1
28. Dezember 2011
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2400604
- Aktenzeichen
- EP09840443
- Anmeldetag
- 25. Dezember 2009
- Veröffentlichung
- 28. Dezember 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01S5/343
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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