Mehrschichtige Struktur mit Halbleiterschicht und Schichtdickenmessbereich sowie Fotoelektrisches Dünnschicht-Umwandlungselement und Integrierte Dünnschicht-Solarzelleneinheit damit

EP2405488 Art A1 11. Januar 2012

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2405488
Aktenzeichen: EP10748711
Anmeldetag: 1. März 2010
Veröffentlichung: 11. Januar 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L31/042H01L21/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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