Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement
EP2406826
Art B1
23. August 2017
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2406826
- Aktenzeichen
- EP10750689
- Anmeldetag
- 19. Februar 2010
- Veröffentlichung
- 23. August 2017
- Erteilung
- 23. August 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786C01G15/00G09F9/30H01L21/28H01L21/316H01L21/363H01L21/768H01L23/522H01L29/417H01L21/02C01G45/00C01G49/00C01G51/00H01L21/477C01G53/00H01L21/441H01L29/66H01L27/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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