Abschlussverfahren für ein Soi-Artiges Substrat
EP2409325
Art B1
1. Januar 2014
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2409325
- Aktenzeichen
- EP10709010
- Anmeldetag
- 17. März 2010
- Veröffentlichung
- 1. Januar 2014
- Erteilung
- 1. Januar 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L21/762H01L21/306H01L21/316
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
529 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Bomer, Françoise Marie
Saint-Grégoire, Frankreich
76
Patente gesamt
17
Fachgebiete
4
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Regimbeau
Regimbeau · Rennes