Gruppe-Iii-Nitrid-Halbleitervorrichtung, Epitaxialsubstrat und Verfahren zur Herstellung der Gruppe-Iii-Nitrid-Halbleitervorrichtung

EP2410580 Art A1 25. Januar 2012

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2410580
Aktenzeichen: EP09812406
Anmeldetag: 24. April 2009
Veröffentlichung: 25. Januar 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L33/00C30B29/38H01L21/205H01S5/323B82Y20/00H01L21/02H01L33/16H01L33/32H01S5/30H01S5/32H01S5/343

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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