Substrat zur Züchtung von Gruppe-Iii-Nitrid-Halbleitern, Epitaktisches Substrat für Gruppe-Iii-Nitrid-Halbleiter, Gruppe-Iii-Nitrid-Halbleiterelement, Freitragendes Substrat für Gruppe-Iii-Nitrid-Halbleiter und Herstellungsverfahren dafür
EP2413350
Art A1
1. Februar 2012
Anmelder: Dowa Holdings Co., Ltd., DOWA Electronics Materials Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2413350
- Aktenzeichen
- EP10756280
- Anmeldetag
- 25. März 2010
- Veröffentlichung
- 1. Februar 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/205H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Dowa Holdings Co., Ltd.
DOWA Electronics Materials Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
DOWA Electronics Materials
DOWA Electronics Materials ist ein japanisches Unternehmen der DOWA-Gruppe für elektronische Werkstoffe und Metallpulver. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Fertigungstechnik, ergänzt durch anorganische Chemie und Metallurgie. Anmeldungen reichen von 2001 bis in die Gegenwart.
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