Mosfet und Mosfet-Herstellungsverfahren
EP2413365
Art A1
1. Februar 2012
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2413365
- Aktenzeichen
- EP10756049
- Anmeldetag
- 23. März 2010
- Veröffentlichung
- 1. Februar 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/16H01L29/04H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
11.186 Patente in unserer Datenbank