Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung mit einer Passivierschicht und entsprechende Halbleitervorrichtung
EP2416386
Art B1
15. Juli 2020
Anmelder: Hanwha Q CELLS GmbH, Hanwha Q.CELLS GmbH, Q-Cells SE 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2416386
- Aktenzeichen
- EP11176530
- Anmeldetag
- 4. August 2011
- Veröffentlichung
- 15. Juli 2020
- Erteilung
- 15. Juli 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/18H01L31/068H01L31/0216H01L21/225H01L21/56// H01L31/0236H01L21/268
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Hanwha Q CELLS GmbH
Hanwha Q.CELLS GmbH
Q-Cells SE - Land
- 🇩🇪 Deutschland
Fachgebiete
Vertreten von
Bakhtyari, Arash
Berlin, Deutschland
22
Patente gesamt
12
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte