Nitrid-Halbleiterelement und Herstellungsverfahren dafür
EP2416387
Art A1
8. Februar 2012
Anmelder: Panasonic Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2416387
- Aktenzeichen
- EP10758184
- Anmeldetag
- 16. März 2010
- Veröffentlichung
- 8. Februar 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/40H01L33/32H01L33/16H01L29/45// H01L33/00H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Panasonic Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Panasonic
Japanischer Konzern, der Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik, Batterien sowie Komponenten und Lösungen für Industrie und Automobilbau entwickelt und herstellt.
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