Bipolarer Heteroübergangstransistor und Herstellungsverfahren

EP2418681 Art B1 11. Oktober 2017

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2418681
Aktenzeichen
EP10172433
Anmeldetag
10. August 2010
Veröffentlichung
11. Oktober 2017
Erteilung
11. Oktober 2017
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/737H01L29/10H01L21/331
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

7.918 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Miles, John Richard NXP Semiconductors · Inhouse Romsey, Großbritannien
1.182
Patente gesamt
18
Fachgebiete
4
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Elektronik & Schaltungstechnik Nachrichtentechnik & Telekommunikation Software & Datenverarbeitung Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Elektrische Energietechnik
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