Substrat, Substrat mit einer Dünnschicht, Halbleiterbauelement sowie Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements
EP2420599
Art A1
22. Februar 2012
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2420599
- Aktenzeichen
- EP10764377
- Anmeldetag
- 6. April 2010
- Veröffentlichung
- 22. Februar 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/36C23C16/32C23C16/42C30B25/20H01L21/02H01L21/205H01L21/329H01L21/336H01L21/337H01L21/338H01L29/12H01L29/47H01L29/78H01L29/80H01L29/808H01L29/812H01L29/861H01L29/872
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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