Speichervorrichtung mit einem Schwebegatter aus polykristallinem Silizium, welches Verunreinigungen enthält, sowie entsprechendes Herstellungsverfahren
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2421027
- Aktenzeichen
- EP11177851
- Anmeldetag
- 17. August 2011
- Veröffentlichung
- 8. April 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28G11C16/04H01L21/265H01L29/423H01L21/02
Abstract
Non-volatile floating gate devices and approaches involve setting or maintaining threshold voltage characteristics relative to thermal processing. In connection with various embodiments, a floating gate (210) includes a polycrystalline silicon material having an impurity therein. The impurity interacts with the polycrystalline material to resist changes in grain size of the polycrystalline silicon material during thermal processing, and setting charge storage characteristics relative to threshold voltages for the floating gate device. The impurity can include a group IV material, nitrogen, oxygen, or carbon.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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