Verfahren zum Verdünnen eines Silicium-Auf-Isolator-Substrats
EP2422360
Art A2
29. Februar 2012
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2422360
- Aktenzeichen
- EP10713998
- Anmeldetag
- 20. April 2010
- Veröffentlichung
- 29. Februar 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/306H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Fachgebiete
Vertreten von
Bomer, Françoise Marie
Saint-Grégoire, Frankreich
76
Patente gesamt
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4
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Regimbeau
Regimbeau · Rennes