Memristor-Bauelement mit einem Widerstand, der durch Bewegen einer Magnetischen Wand durch Spintransfer Einstellbar Ist, und Verwendung des Memristors in einem Neuronalen Netzwerk
Anmelder: THALES, Centre National de la Recherche Scientifique 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2425434
- Aktenzeichen
- EP10715869
- Anmeldetag
- 30. April 2010
- Veröffentlichung
- 27. Januar 2016
- Erteilung
- 27. Januar 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/14G11C11/54G11C11/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- THALES
Centre National de la Recherche Scientifique - Land
- 🇫🇷 Frankreich
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