Zusammensetzung zur Bildung einer dielektrischen Dünnschicht, Verfahren zur Bildung einer dielektrischen Dünnschicht und durch das Verfahren gebildete dielektrische Dünnschicht
EP2426684
Art A1
7. März 2012
Anmelder: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2426684
- Aktenzeichen
- EP10305942
- Anmeldetag
- 2. September 2010
- Veröffentlichung
- 7. März 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01G7/06C04B35/47H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Materials
Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.
1.978 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
de Beaumont, Michel
Grenoble, Frankreich
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Fachgebiete
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