Verfahren zur Herstellung einer Nitrid-Halbleiter-Kristallschicht

EP2426701 Art A1 7. März 2012

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2426701
Aktenzeichen
EP11156399
Anmeldetag
1. März 2011
Veröffentlichung
7. März 2012
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/20H01L21/205H01L21/762H01L21/02
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.649 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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