Reduzieren der Transistorübergangskapazität durch Vertiefen der Drain- und Source-Bereiche
EP2428986
Art B1
22. August 2018
Anmelder: Conversant Intellectual Property Management, Inc., Advanced Micro Devices, Inc. 🇨🇦
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2428986
- Aktenzeichen
- EP11192120
- Anmeldetag
- 30. Juni 2008
- Veröffentlichung
- 22. August 2018
- Erteilung
- 22. August 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/66H01L21/324H01L21/84H01L29/78H01L27/12H01L29/417H01L29/786// H01L21/265H01L21/8238
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Conversant Intellectual Property Management, Inc.
Advanced Micro Devices, Inc. - Land
- 🇨🇦 Kanada
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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